InPhi:2019是DCI市场激动人心的一年
发布时间:2019-03-28 09:57:32 热度:4031
3/28/2019, 点击看Lightwave原文链接
InPhi公司光互联首席技术官Radha Nagarajan博士日前在Lightwave撰文分析数据中心用光通信技术的两大发展趋势,特摘编如下:
第一,数据中心地理的解耦将更普遍,DCI应用日益重要。
传统的大型超大型数据中心耗地耗电,致冷困难,维护工作大,未来分散式的数据中心将更普遍,尤其是在土地紧张的城域区域,以及灾备的需要。高速DCI市场应用而生。具体来说有三类DCI应用,其一是2-5公里的DCI-园区应用,用于连接相邻的数据中心;其二是2-120公里的DCI-边缘,用于区域内的数据中心,通常有延时的要求。在这个领域,C波段的100G PAM4和400G相干模块将成为主流。其三,DCI-城域/长途,最远可以到3000公里的长途连接,相干技术是主流。
不同DCI应用示意图
主流云服务商CSP如今都在从传统的超大型数据中心向分散式的区域数据中心架构转型。不同CSP,他们选择的区域数据中心架构不同,但都离不开冗余的配置和区域网关。这个网关负责连接WAN和区域内的数据中心。在这个区域的业务需要扩展的时候,只要在这个区域内添置更多的设备就行,从而简化了数据中心的扩容过程,同时还有所谓的分布式获得区(AZ)的好处。
Nagarajan博士在此顺便推广了InPhi的PAM4光模块技术,他指出区域数据中心对任意两个区域内数据中心之间的时延有限制,传统的光模块技术不够灵活。InPhi的低功耗(硅光),小尺寸(QSFP28),直接检测(PAM4)模块可以支持每对光纤4Tbps传输,每100G功耗4.5W。
第二,硅光和CMOS技术将日益重要
相比InP平台,硅基CMOS平台支持200mm和300mm的晶圆工艺,可以通过锗硅工艺制作PD,还可以通过Silica和氮化硅工艺制作各种温度不敏感的光器件。InPhi已经基于硅光技术开发了自己的DCI用光模块。
随着每端口400G的新一代交换芯片的出现,OIF等正在制定瞄准新一代DCI应用的400ZR标准。PAM4仍将在这个标准中扮演重要角色。
InPhi硅光模块的示意图
4月22日,光纤在线携手隆高展览在上海数据中心展期间举办数据中心与光通信技术专题研讨会,聚焦新一代DCI市场与技术发展,诚邀您参加
InPhi公司光互联首席技术官Radha Nagarajan博士日前在Lightwave撰文分析数据中心用光通信技术的两大发展趋势,特摘编如下:
第一,数据中心地理的解耦将更普遍,DCI应用日益重要。
传统的大型超大型数据中心耗地耗电,致冷困难,维护工作大,未来分散式的数据中心将更普遍,尤其是在土地紧张的城域区域,以及灾备的需要。高速DCI市场应用而生。具体来说有三类DCI应用,其一是2-5公里的DCI-园区应用,用于连接相邻的数据中心;其二是2-120公里的DCI-边缘,用于区域内的数据中心,通常有延时的要求。在这个领域,C波段的100G PAM4和400G相干模块将成为主流。其三,DCI-城域/长途,最远可以到3000公里的长途连接,相干技术是主流。
不同DCI应用示意图
主流云服务商CSP如今都在从传统的超大型数据中心向分散式的区域数据中心架构转型。不同CSP,他们选择的区域数据中心架构不同,但都离不开冗余的配置和区域网关。这个网关负责连接WAN和区域内的数据中心。在这个区域的业务需要扩展的时候,只要在这个区域内添置更多的设备就行,从而简化了数据中心的扩容过程,同时还有所谓的分布式获得区(AZ)的好处。
Nagarajan博士在此顺便推广了InPhi的PAM4光模块技术,他指出区域数据中心对任意两个区域内数据中心之间的时延有限制,传统的光模块技术不够灵活。InPhi的低功耗(硅光),小尺寸(QSFP28),直接检测(PAM4)模块可以支持每对光纤4Tbps传输,每100G功耗4.5W。
第二,硅光和CMOS技术将日益重要
相比InP平台,硅基CMOS平台支持200mm和300mm的晶圆工艺,可以通过锗硅工艺制作PD,还可以通过Silica和氮化硅工艺制作各种温度不敏感的光器件。InPhi已经基于硅光技术开发了自己的DCI用光模块。
随着每端口400G的新一代交换芯片的出现,OIF等正在制定瞄准新一代DCI应用的400ZR标准。PAM4仍将在这个标准中扮演重要角色。
InPhi硅光模块的示意图
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