SiFotonics在ECOC2017正式发布硅光集成的100G/200G micro-ICR产品
发布时间:2017-09-25 11:26:28 热度:3490
瑞典哥德堡2017年9月18日电 一 SiFotonics Technologies,国际领先的硅光科技公司之一,于2017年9月18日在瑞典哥德堡举行的ECOC2017展览会上正式发布其基于硅光集成技术的100G/200G相干接收器(Micro-ICR)。此款产品已完成封装、测试产线调试以及其他量产前的准备,预计可实现2018年50K的产能需求,以满足高速增长的骨干网、城域网、DCI 市场100G/200G DWDM端口对小尺寸、低成本、高性能器件的需求。
SiFotonics的相干接收器基于硅基CMOS工艺的硅光子全集成技术,单片集成高速Ge/Si探测器、MPD、可调光衰减器、偏振分束、90度混频器等光学功能元件,不仅大幅提高了封装效率、降低封装成本,同时也提高了器件的可靠性和良率,全面解决了基于传统PLC技术以及复杂的封装工艺所带来的良率问题。
公司CEO 潘栋博士说 “ 一个传统上包含几十个组件的相干器件,因为大规模的硅光子集成, 简化成整个封装只有一个光芯片和一对电芯片,比最简单的TO-Can里面的元件都少, 这大大减少了封装难度,提高了封装效率”.
SiFotonics技术团队成功实现了ICR测试产线的全面自动化,是真正意义上的一键式测试, 大幅提高了产品测试效率、稳定性和重复性,为进一步降低产品成本释放了空间。
此外,SiFotonics 400G ICR芯片也已全面就绪,Micro-ICR产品可以从32GBaud向64Gbaud (Class-40)平滑演进,以满足400G/600G DCI市场应用的需求。
关于SiFotonics
SiFotonics Technologies 作为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者,为客户提供从10G到400G的高速光通信解决方案, 可用于光纤到户、数据中心、移动通信和相干传输。自2006年以来,公司通过与 CMOS Foundry 合作开发专属硅光产线, 目前该产线已完成硅光子集成芯片和技术平台的相关工艺开发, 提供以下的硅光器件和解决方案:高速光互连的硅光集成器件(100G/400G ICR,100G/200G IC-TROSA), 锗硅基光电芯片器件(10G/25G/50G速率的APD、PD及其阵列),基于APD的100G/200G/400G长距离传输解决方案。
SiFotonics的相干接收器基于硅基CMOS工艺的硅光子全集成技术,单片集成高速Ge/Si探测器、MPD、可调光衰减器、偏振分束、90度混频器等光学功能元件,不仅大幅提高了封装效率、降低封装成本,同时也提高了器件的可靠性和良率,全面解决了基于传统PLC技术以及复杂的封装工艺所带来的良率问题。
公司CEO 潘栋博士说 “ 一个传统上包含几十个组件的相干器件,因为大规模的硅光子集成, 简化成整个封装只有一个光芯片和一对电芯片,比最简单的TO-Can里面的元件都少, 这大大减少了封装难度,提高了封装效率”.
SiFotonics技术团队成功实现了ICR测试产线的全面自动化,是真正意义上的一键式测试, 大幅提高了产品测试效率、稳定性和重复性,为进一步降低产品成本释放了空间。
此外,SiFotonics 400G ICR芯片也已全面就绪,Micro-ICR产品可以从32GBaud向64Gbaud (Class-40)平滑演进,以满足400G/600G DCI市场应用的需求。
关于SiFotonics
SiFotonics Technologies 作为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者,为客户提供从10G到400G的高速光通信解决方案, 可用于光纤到户、数据中心、移动通信和相干传输。自2006年以来,公司通过与 CMOS Foundry 合作开发专属硅光产线, 目前该产线已完成硅光子集成芯片和技术平台的相关工艺开发, 提供以下的硅光器件和解决方案:高速光互连的硅光集成器件(100G/400G ICR,100G/200G IC-TROSA), 锗硅基光电芯片器件(10G/25G/50G速率的APD、PD及其阵列),基于APD的100G/200G/400G长距离传输解决方案。