II-VI扩大泵浦激光二极管产能
发布时间:2017-06-13 09:46:49 热度:1379
6/13/2017,全球领先的高功率半导体激光器制造商II-VI集团宣布将扩大18W泵浦激光二极管生产,该产品应用于光纤激光器。
II-VI这款高亮度的激光二极管特征是采用190µm宽侧端输出,可在200 µm纤芯内达到最佳耦合效率,提升了单个发射器输出功率,帮助光纤激光器制造商在减少发射器数量下,研制出更高功率的光纤激光器。
18W泵浦激光二极管可在915nm、940nm及976nm波长上工作,并采用II-VI享有专利的E2前镜钝化工艺,在极致的高输出功率下,可有效防止光学灾变对激二极管侧端损害。泵浦激光二极管内置裸芯片,可封装在陶瓷热沉上或耦合进单模/多模发射器模块中。
II-VI激光公司总经理Karlheinz Gulden说:“市场对这款激光二极管的需求很强劲,我们准备在年底将其产能提升一倍。客户对II-VI在高功率半导体激光技术领域的创新实力一直抱有信心,因为技术帮助他们加强了产品竞争力,提升可靠以及降低成本。”
II-VI集团光纤激光器件产品组合非常广泛,覆盖SEED激光器,声光学调制器,泵浦光纤激光组合器,还有微型光学高功率隔离器和10KW IBS-coated激光光学,同时提供千瓦级激光头和激光电缆。
II-VI将在2017年6月26-29日举办的慕尼黑激光光电展上隆重展出其应用最广泛的商业产品组合,可用于高功率激光技术平台或精密材料处理。
II-VI这款高亮度的激光二极管特征是采用190µm宽侧端输出,可在200 µm纤芯内达到最佳耦合效率,提升了单个发射器输出功率,帮助光纤激光器制造商在减少发射器数量下,研制出更高功率的光纤激光器。
18W泵浦激光二极管可在915nm、940nm及976nm波长上工作,并采用II-VI享有专利的E2前镜钝化工艺,在极致的高输出功率下,可有效防止光学灾变对激二极管侧端损害。泵浦激光二极管内置裸芯片,可封装在陶瓷热沉上或耦合进单模/多模发射器模块中。
II-VI激光公司总经理Karlheinz Gulden说:“市场对这款激光二极管的需求很强劲,我们准备在年底将其产能提升一倍。客户对II-VI在高功率半导体激光技术领域的创新实力一直抱有信心,因为技术帮助他们加强了产品竞争力,提升可靠以及降低成本。”
II-VI集团光纤激光器件产品组合非常广泛,覆盖SEED激光器,声光学调制器,泵浦光纤激光组合器,还有微型光学高功率隔离器和10KW IBS-coated激光光学,同时提供千瓦级激光头和激光电缆。
II-VI将在2017年6月26-29日举办的慕尼黑激光光电展上隆重展出其应用最广泛的商业产品组合,可用于高功率激光技术平台或精密材料处理。