SiFotonics 推出 400G硅光集成相干解决方案

 5/8/2017，硅光子技术领导者之一 SiFotonics Technologies 率先推出 400G 硅光集成相干接收解决方案，正式迈入 400G。

    近年来，由于其低成本、高集成度优势，硅光子技术逐渐成为光通讯行业热点，被认为是处于爆发前夜的颠覆性技术之一。另一方面，随着云计算、大数据、人工智能时代的到来，全球数据中心所产生的总流量正在以 34% 的年复合增长率飞速上升，谷歌、亚马逊等互联网巨头对 400G 数据中心的需求渐行渐近，国内外一流供应商正在大力推进 400G 产品。 

    作为硅光领军企业之一，SiFotonics 已凭借其多年技术积累和先发优势在 100G 城域、数据中心传输领域开始占据了有利位置。此次推出的 400G 硅光集成相干接收解决方案（400G ICR），基于集成了耦合器、偏振分束、90度混频器、MPD、VOA、HFPD等55个光学组件在内的硅光集成芯片，其在北美客户的硅光集成模块测试中显示出了卓越的 400G 性能，这标志着 SiFotonics 正式进入 400G 市场。图1~3分别显示了相干模块的测试结果, 超过40GHz的带宽和在40GHz范围内的S22测试结果：


图1. 400G 硅光集成相干模块测试结果


图2. 硅光集成相干接收机带宽测试结果


图3. 相干接收机在40GHz范围内的S22测试结果

    SiFotonics CEO 潘栋博士表示：“硅光的前期投入巨大, 需要每一个单元达标且可靠, 一旦通过, 带来的优势不仅是封装更简单, 性能也更好，同时可以平滑升级换代。按照目前的发展趋势，硅光子技术在 400G 时代会显示出强大的性能和成本优势，必将在市场中占据领先地位，成为真正的颠覆者。”

    关于 SiFotonics
    SiFotonics Technologies 致力于成为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者，为客户提供从10G到400G的高速光通讯解决方案, 可用于光纤到户, 数据中心和长距离相干传输。自2006年以来，公司通过与 CMOS Foundry 合作开发专属硅光产线, 目前该产线已完成硅光子集成芯片和技术平台的相关工艺开发, 已实现锗硅光电探测器（Ge/Si PIN）、锗硅雪崩光电探测器（Ge/Si APD) 和100G/400G集成芯片等产品的量产化。