SiFotonics发布针对100G光纤接入网的25G APD TO-Can
发布时间：2016-05-27 14:32:30 热度：4484
5/26/2016, 基于硅光技术的光器件供应商SiFotonics 科技近日正式推出针对下一代100G-PON光接入技术的硅光低成本25G APD TO-Can T6AP20M3-05，其1310nm灵敏度达-28.5dBm (BER=1e-3)，为目前业界最高性能，此低成本高性能方案将助力100G光纤接入到千家万户成为现实。
SiFotonics 25G APD TO-Can T6AP20M3-05外观图
虚拟现实、智能家居、4K/8K超高清视频、物联网等新兴业务对光纤到户的庞大带宽诉求正在加速到来。作为后10G-PON时代光接入技术国际标准的主要方案之一，100G-PON提供25G单波速率，100G单纤容量，为每用户提供1G以上超高带宽，将目前的GPON/EPON接入速度提升至少40倍。目前，100G-PON已在IEEE/FSAN/ITU-T等标准化组织中立项，预计未来3-5年内登场，然而其关键组件25G APD一直未成熟。
T6AP20M3-05基于SiFotonics自主开发的25G Ge/Si APD芯片AP2005，使用传统低成本TO-46封装。作为最好的雪崩材料之一，硅拥有很小的过剩噪声因子和很大的增益带宽积，这使得在高速(10Gb/s或更高)工作条件下，Ge/Si APD可以实现比传统III-V APD更高的灵敏度。此外，SiFotonics Ge/Si APD由8英寸CMOS晶圆厂代工，具有高产量、低成本优势，极适合未来的海量100G-PON光接入市场。
下图为T6AP20M3-05的灵敏度测试结果：
Back-to-back sensitivity of 25G APD TO-Can T6AP20M3-05
(λ=1309.14nm, ER=9.5dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ, w/o CDR, 25ºC)
T6AP20M3-05 1310nm灵敏度达到-28.5dBm (BER=1e-3)，此结果超过III-V器件，为目前业界最高性能。产品推出后市场反响强烈，短短两个月已有超过三十家业界一流公司客户，其优异性能得到了多家客户的验证。在最近的IEEE标准会议中，得到众多国际一流厂商的支持。
SiFotonics CEO潘栋博士表示：“目前市场上的光纤到户容量，有几亿用户，这些用户未来都会升级，有些已经开始升级到10G-PON。我们能够提供类似成本结构的10G到100G芯片和组件技术，这会帮助推动现有用户升级到10G，并使得进一步演进到100G的路线变得现实清晰。”
关于SiFotonics：
SiFotonics Technologies致力于成为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者，为客户提供下一代高速光电集成解决方案。自2006年以来，公司一直致力于硅光子技术的研究与产品化，与CMOS Foundry合作开发专属硅光产线。SiFotonics已实现锗硅光电探测器(Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器(Ge/Si APD)等产品的量产化，现已向市场全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其阵列，覆盖波长范围850nm~1577nm。目前该产线也已完成硅光子集成技术的相关工艺调试，并成功试产高性能100G相干接收机芯片CR4Q01。不久，SiFotonics将推出面向数据中心应用的100G集成收发芯片。
SiFotonics 25G APD TO-Can T6AP20M3-05外观图
虚拟现实、智能家居、4K/8K超高清视频、物联网等新兴业务对光纤到户的庞大带宽诉求正在加速到来。作为后10G-PON时代光接入技术国际标准的主要方案之一，100G-PON提供25G单波速率，100G单纤容量，为每用户提供1G以上超高带宽，将目前的GPON/EPON接入速度提升至少40倍。目前，100G-PON已在IEEE/FSAN/ITU-T等标准化组织中立项，预计未来3-5年内登场，然而其关键组件25G APD一直未成熟。
T6AP20M3-05基于SiFotonics自主开发的25G Ge/Si APD芯片AP2005，使用传统低成本TO-46封装。作为最好的雪崩材料之一，硅拥有很小的过剩噪声因子和很大的增益带宽积，这使得在高速(10Gb/s或更高)工作条件下，Ge/Si APD可以实现比传统III-V APD更高的灵敏度。此外，SiFotonics Ge/Si APD由8英寸CMOS晶圆厂代工，具有高产量、低成本优势，极适合未来的海量100G-PON光接入市场。
下图为T6AP20M3-05的灵敏度测试结果：
Back-to-back sensitivity of 25G APD TO-Can T6AP20M3-05
(λ=1309.14nm, ER=9.5dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ, w/o CDR, 25ºC)
T6AP20M3-05 1310nm灵敏度达到-28.5dBm (BER=1e-3)，此结果超过III-V器件，为目前业界最高性能。产品推出后市场反响强烈，短短两个月已有超过三十家业界一流公司客户，其优异性能得到了多家客户的验证。在最近的IEEE标准会议中，得到众多国际一流厂商的支持。
SiFotonics CEO潘栋博士表示：“目前市场上的光纤到户容量，有几亿用户，这些用户未来都会升级，有些已经开始升级到10G-PON。我们能够提供类似成本结构的10G到100G芯片和组件技术，这会帮助推动现有用户升级到10G，并使得进一步演进到100G的路线变得现实清晰。”
关于SiFotonics：
SiFotonics Technologies致力于成为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者，为客户提供下一代高速光电集成解决方案。自2006年以来，公司一直致力于硅光子技术的研究与产品化，与CMOS Foundry合作开发专属硅光产线。SiFotonics已实现锗硅光电探测器(Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器(Ge/Si APD)等产品的量产化，现已向市场全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其阵列，覆盖波长范围850nm~1577nm。目前该产线也已完成硅光子集成技术的相关工艺调试，并成功试产高性能100G相干接收机芯片CR4Q01。不久，SiFotonics将推出面向数据中心应用的100G集成收发芯片。
