Imec改善硅光技术支持50Gbps NRZ速率
发布时间:2016-03-22 15:32:05 热度:2146
3/21/2016, 世界领先的纳米电子技术研究中心比利时IEMC今天宣布将在本次OFC期间宣布多个晶圆级集成硅光平台关键部件的性能改进。这些新成绩拓展了IMEC的集成硅光平台产品线,支持50Gbps的NRZ速率,是针对高密度,高带宽和低功耗的高速率硅光集成互联技术的重要进展,同时可以针对低成本大批量的诸如传感器或者激光雷达LiDAR的应用。
通过工艺和设计优化,IMEC改善了基于硅光的行波MZ调制器和环形调制器的工作速度,可以支持50Gbps MRZ线路速率。此外,专门开发了C波段的GeSi 电吸收调制器支持50GHz以上的电光带宽,支持NRZ调制在56Gbps以上速率的工作。所有的调制器可以在2Vpp或者更低的电压驱动下工作,支持与高功效的CMOS驱动电路的配合。
IMEC还将高速Ge探测器的响应度提高到1A/W,支持C和O波段下的高灵敏的50Gbps NRZ工作。此外,边缘耦合结构可以实现与大数值孔径和透镜光纤耦合,C波段下插损小于3dB。最后,193nm光刻技术可以实现优越的掩模精度,确保波导的可靠性。
50Gbps器件目前被纳入IMEC的200mm 硅光光子多项目晶圆MPW项目,得到工艺设计工具PDK的支持。MPW可以通过Ruropractice的IC服务和低成本定制化IC的验证和量产项目MOSIS进行申请。用户可以在2016年6月28日前进行申请,预计明年1月9日首批晶圆发出。
通过工艺和设计优化,IMEC改善了基于硅光的行波MZ调制器和环形调制器的工作速度,可以支持50Gbps MRZ线路速率。此外,专门开发了C波段的GeSi 电吸收调制器支持50GHz以上的电光带宽,支持NRZ调制在56Gbps以上速率的工作。所有的调制器可以在2Vpp或者更低的电压驱动下工作,支持与高功效的CMOS驱动电路的配合。
IMEC还将高速Ge探测器的响应度提高到1A/W,支持C和O波段下的高灵敏的50Gbps NRZ工作。此外,边缘耦合结构可以实现与大数值孔径和透镜光纤耦合,C波段下插损小于3dB。最后,193nm光刻技术可以实现优越的掩模精度,确保波导的可靠性。
50Gbps器件目前被纳入IMEC的200mm 硅光光子多项目晶圆MPW项目,得到工艺设计工具PDK的支持。MPW可以通过Ruropractice的IC服务和低成本定制化IC的验证和量产项目MOSIS进行申请。用户可以在2016年6月28日前进行申请,预计明年1月9日首批晶圆发出。