SiFotonics推出高度集成的硅光100G相干接收机芯片
发布时间：2015-12-04 18:21:00 热度：4942
12/4/2015,光纤在线讯，SiFotonics Technologies，国际领先的硅光技术公司之一，近日首次推出完全基于CMOS工艺的硅基全集成100G相干接收机（Integrated coherent receiver, ICR）芯片CR4Q01，面向骨干网及城域网100G DP-QPSK相干通信市场。
CR4Q01不仅在性能方面达到基于PLC等分立器件的传统相干接收机水平，且尺寸是目前业界最小的同类器件之一，封装简易、一致性好，整体设计完全符合OIF于2015年3月制定的城域网相干接收机协议。
CR4Q01尺寸仅为2.5×5.65mm2，单片集成了全部由SiFotonics自主研发的光纤波导耦合器、偏振旋转分束器、2个90⁰混频器和8个32G Ge/Si波导型光探测器阵列等器件。其中，波导耦合器与单模光纤直接耦合损耗<2dB每端，偏振相关损耗低于0.5dB，可覆盖O/C/L等波段，具有极好的耦合容差；偏振旋转分束器（用于将入射光信号的两个偏振分量分束到两个独立波导中）可同时实现TM模向TE模的偏振旋转，引入的额外损耗小于0.5dB，且在C波段内偏振消光比均高于22dB；32G 波导型Ge/Si光探测器具有高响应度、低电容等特点，且各通道共模抑制比高。CR4Q01完全基于硅基CMOS工艺，能够保证量产要求的高良率、一致性和可靠性。
SiFotonics同时也在开发与带有SPI功能跨阻放大器相匹配的下一代相干接收机集成芯片CR4QS1，其尺寸仅为2.5×2.2mm2，预计明年Q2提供样品，将会成为业界集成度最高、尺寸最小的100G ICR芯片。
“在这样小的一个芯片上，可以集成这么多的光学和电学功能单元，性能满足要求，并在客户那里大受欢迎的程度，有些出乎我们意料，”SiFotonics CEO潘栋博士表示：“硅光不再是教科书里的梦想，它已经到来。这样高度集成的100G硅光芯片，使我们可以清楚看到硅光技术的应用前景，从骨干网、城域网及数据中心，到未来的8K高清电视。我们很幸运能成为将这项技术转化为产品的推动者。”
关于SiFotonics：
SiFotonics Technologies致力于成为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者，为客户提供下一代高速光电转换解决方案。自2006年以来，公司一直致力于硅光子技术的研究与平台建设，与CMOS Foundry合作开发专属硅光产线。SiFotonics已实现锗硅光电探测器(Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器(Ge/Si APD)等产品的量产化，现已向市场全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其阵列，覆盖波长范围850nm~1577nm。目前我们也已完成硅光子集成技术的相关工艺调试，并成功试产高性能100G相干接收机芯片CR4Q01。不久，SiFotonics将推出面向数据中心应用的100G集成收发芯片。
CR4Q01不仅在性能方面达到基于PLC等分立器件的传统相干接收机水平，且尺寸是目前业界最小的同类器件之一，封装简易、一致性好，整体设计完全符合OIF于2015年3月制定的城域网相干接收机协议。
CR4Q01尺寸仅为2.5×5.65mm2，单片集成了全部由SiFotonics自主研发的光纤波导耦合器、偏振旋转分束器、2个90⁰混频器和8个32G Ge/Si波导型光探测器阵列等器件。其中，波导耦合器与单模光纤直接耦合损耗<2dB每端，偏振相关损耗低于0.5dB，可覆盖O/C/L等波段，具有极好的耦合容差；偏振旋转分束器（用于将入射光信号的两个偏振分量分束到两个独立波导中）可同时实现TM模向TE模的偏振旋转，引入的额外损耗小于0.5dB，且在C波段内偏振消光比均高于22dB；32G 波导型Ge/Si光探测器具有高响应度、低电容等特点，且各通道共模抑制比高。CR4Q01完全基于硅基CMOS工艺，能够保证量产要求的高良率、一致性和可靠性。
SiFotonics同时也在开发与带有SPI功能跨阻放大器相匹配的下一代相干接收机集成芯片CR4QS1，其尺寸仅为2.5×2.2mm2，预计明年Q2提供样品，将会成为业界集成度最高、尺寸最小的100G ICR芯片。
“在这样小的一个芯片上，可以集成这么多的光学和电学功能单元，性能满足要求，并在客户那里大受欢迎的程度，有些出乎我们意料，”SiFotonics CEO潘栋博士表示：“硅光不再是教科书里的梦想，它已经到来。这样高度集成的100G硅光芯片，使我们可以清楚看到硅光技术的应用前景，从骨干网、城域网及数据中心，到未来的8K高清电视。我们很幸运能成为将这项技术转化为产品的推动者。”
关于SiFotonics：
SiFotonics Technologies致力于成为硅光子器件与集成技术的开创者与领导者，为客户提供下一代高速光电转换解决方案。自2006年以来，公司一直致力于硅光子技术的研究与平台建设，与CMOS Foundry合作开发专属硅光产线。SiFotonics已实现锗硅光电探测器(Ge/Si PIN)、锗硅雪崩光电探测器(Ge/Si APD)等产品的量产化，现已向市场全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其阵列，覆盖波长范围850nm~1577nm。目前我们也已完成硅光子集成技术的相关工艺调试，并成功试产高性能100G相干接收机芯片CR4Q01。不久，SiFotonics将推出面向数据中心应用的100G集成收发芯片。
