美大学和中科院开发成功全硅“光二极管”

 12/28/2011，美国普渡大学（Purdue University）和中国科学院上海微系统与信息技术研究所宣布，该大学研究人员仅利用与CMOS技术具有兼容性的硅类材料制成的无源元件实现了“光二极管”（英文发布资料）。该元件设想使用光通信中使用的波长为1.5～1.6μm的光。正向导入光信号时与反向导入光信号时的信号功率比约为20dB以上。详细内容已刊登在学术杂志《科学》（Science）的电子版上。 

   据悉，以前的光隔离器大多利用法拉第元件等具有磁光学效应的能动元件来制造。要想用无源元件来实现光隔离器，从原理上讲很难。同时在普渡大学和中科院挂职的齐明豪的研究小组全球首次开发出了由无源元件制成的光隔离器、即“光二极管”。 

   此前，中国南京大学和美国加州理工大学的研究人员，加州理工大学从事博士后研究的冯亮等人设计出了一种包含半导体锗、金属铬的硅制波导，能够实现光线的单向传输，即“光二极管”，也就是芯片级光隔离器。该研究也发表在《科学》杂志上。