阿朗、Thales与CEA-Leti联手研发III-V半导体与硅材料技术
发布时间：2011-04-11 11:29:02 热度：1116
4/11/2011，阿尔卡特朗讯贝尔实验室、Thales与CEA-Letu日前联合宣布，CEA-Leti已加入III-V实验室，增强研发中心的产业研发能力，该实验室居于全欧洲III-V半导体材料研究领域的最前沿。全新的公共与私人合作关系将结合III-V半导体与硅材料技术，开创新的研发视角并带来新的研发动力。扩充后的III-V实验室将拥有130多名技术研究人员及博士生。
全新的合作模式将充分发挥三家成员在硅材料、微电子及交叉整合等领域的全方位经验，在以下方面带来显著提升：
• 融合硅基CMOS集成电路中III-V部件所带来的无以伦比的速度、功率及光学功能。
• 通过交叉集成有源III-V部件（光学、微波、高功率部件）与硅基集成电路及微系统，开发具备创新功能的更智能、更小型化的部件。
• 生产基于硅基材料的III-V部件并在硅基微电子生产线上进行制造，从而降低成本。
CEA-Leti是全球领先的微电子与纳米技术研究中心，它的加入能够进一步增强III-V实验室的实力。III-V实验室成立于2004年，由阿尔卡特与Thales共同发起，能够针对采用可双重应用的光电及微电子技术的通用平台进行快速开发，满足两大公司的市场需求，主要涉及电信、航天、国防及安全等领域。CEA-Leti将带来其IP技术及在硅材料、微电子与微系统以及各种交叉整合方面的经验，从而显著扩大实验室的研发应用范围。
III-V实验室将致力于研究整合半导体及硅材料潜力的实际应用，并将重点专注于4大研究与市场领域：
• 集成光电电路，整合III-V及硅材料的有源与无源功能，实现高速通信与数据传输。
• 基于GaN微电子的高功率及微波技术，旨在提升通信、航空、卫星、国防、能源及运输系统等领域设备的功率密度、耐久性、能效及紧凑性。
• 全新一代高性价比、紧凑型、高灵敏且具有高选择性的气体传感器，用于安全、工业流程控制及环境监测。
• 热成像与近红外成像，用于安全与国防应用。实验室将开发全新类型的探测器，提升分辨率的同时降低总体成本，并加速其在工业品质控制、运输及环保等领域的应用。
阿尔卡特朗讯贝尔实验室研发主管Gee Rittenhouse表示：“我们十分期待CEA-Leti的加入，其在硅材料领域的杰出成就将为III-V实验室带来更多激动人心的合作机会。III-V半导体已经为光学通信领域带来了重大影响，实现了多项创新性突破，我们计划在未来进一步提升整合该技术的硅基微电子平台的性能，并降低成本与能耗。”
Thales研发与技术高级副总裁Marko Erman认为：“作为新加入III-V实验室的第三家成员，Leti为我们现有的III-V半导体研究带来了深厚的经验与关键的硅材料技术，将创造更多创新机会。得益于对具备突破性功能的全新部件的系统开发，Thales将通过III-V实验室提升多方面的竞争优势。通过融合这些卓越的补充性技术并与Leti携手，我们将成为全球领先的先进设备研发中心。”
Leti CEO Laurent Malier表示：“此次携手开创了一种独特的合作模式，将融合各方的能力、技术及理想，实现各合作方难以独立获得的新成就。各合作方均带来了卓越的具有互补性的专业技术与经验，将携手实现我们的共同目标。而且，各方还将充分利用这些研发成果将最新技术转化为带给我们客户的价值与收益。全新III-V实验室将成为价值创新的不竭源泉。”
III-V实验室位于巴黎南部，将成为Paris Sud Saclay项目的核心组成部分，该项目旨在建设一个大型科学技术园区，包括研发机构、大学、精英学院及公司企业等。
全新的合作模式将充分发挥三家成员在硅材料、微电子及交叉整合等领域的全方位经验，在以下方面带来显著提升：
• 融合硅基CMOS集成电路中III-V部件所带来的无以伦比的速度、功率及光学功能。
• 通过交叉集成有源III-V部件（光学、微波、高功率部件）与硅基集成电路及微系统，开发具备创新功能的更智能、更小型化的部件。
• 生产基于硅基材料的III-V部件并在硅基微电子生产线上进行制造，从而降低成本。
CEA-Leti是全球领先的微电子与纳米技术研究中心，它的加入能够进一步增强III-V实验室的实力。III-V实验室成立于2004年，由阿尔卡特与Thales共同发起，能够针对采用可双重应用的光电及微电子技术的通用平台进行快速开发，满足两大公司的市场需求，主要涉及电信、航天、国防及安全等领域。CEA-Leti将带来其IP技术及在硅材料、微电子与微系统以及各种交叉整合方面的经验，从而显著扩大实验室的研发应用范围。
III-V实验室将致力于研究整合半导体及硅材料潜力的实际应用，并将重点专注于4大研究与市场领域：
• 集成光电电路，整合III-V及硅材料的有源与无源功能，实现高速通信与数据传输。
• 基于GaN微电子的高功率及微波技术，旨在提升通信、航空、卫星、国防、能源及运输系统等领域设备的功率密度、耐久性、能效及紧凑性。
• 全新一代高性价比、紧凑型、高灵敏且具有高选择性的气体传感器，用于安全、工业流程控制及环境监测。
• 热成像与近红外成像，用于安全与国防应用。实验室将开发全新类型的探测器，提升分辨率的同时降低总体成本，并加速其在工业品质控制、运输及环保等领域的应用。
阿尔卡特朗讯贝尔实验室研发主管Gee Rittenhouse表示：“我们十分期待CEA-Leti的加入，其在硅材料领域的杰出成就将为III-V实验室带来更多激动人心的合作机会。III-V半导体已经为光学通信领域带来了重大影响，实现了多项创新性突破，我们计划在未来进一步提升整合该技术的硅基微电子平台的性能，并降低成本与能耗。”
Thales研发与技术高级副总裁Marko Erman认为：“作为新加入III-V实验室的第三家成员，Leti为我们现有的III-V半导体研究带来了深厚的经验与关键的硅材料技术，将创造更多创新机会。得益于对具备突破性功能的全新部件的系统开发，Thales将通过III-V实验室提升多方面的竞争优势。通过融合这些卓越的补充性技术并与Leti携手，我们将成为全球领先的先进设备研发中心。”
Leti CEO Laurent Malier表示：“此次携手开创了一种独特的合作模式，将融合各方的能力、技术及理想，实现各合作方难以独立获得的新成就。各合作方均带来了卓越的具有互补性的专业技术与经验，将携手实现我们的共同目标。而且，各方还将充分利用这些研发成果将最新技术转化为带给我们客户的价值与收益。全新III-V实验室将成为价值创新的不竭源泉。”
III-V实验室位于巴黎南部，将成为Paris Sud Saclay项目的核心组成部分，该项目旨在建设一个大型科学技术园区，包括研发机构、大学、精英学院及公司企业等。
