Eblana, Vitesse创新激光器制作工艺

不支持该视频1/27/2005，爱尔兰Eblana光子公司和美国Vitesse半导体公司今天宣布利用Vitesse的4号InP集成电路生产线生产高品质的低阈值单模激光器。这是业内第一次利用现成的InP IC生产线生产2.5G激光器。产品在常温下阈值电流12mA，边模抑制比达到40dB，输出功率20mW。Vitesse标准的InP HBT流程结合Eblana的独特的regrowth-free激光技术是实现这一成就的关键。双方表示他们的合作将大幅度降低激光器的制作成本，并从长远看来将促进光子集成技术的发展。