半导体光电子学家:王启明院士

    王启明院士，男，中共党员，1934年7月3日生于福建省泉州市，1956年毕业于复旦大学物理系，同年进入中国科学院应用特理研究所（后称物理研究所），1960年至今一直在中国科学院半导体研究所工作，先后任助理研究员，副研究员，研究室主任，1983-1985　任半导体所副所长，1986年晋升研究员，博士生导师，1985-1994　任半导体所所长，先后行国家“863”高技术发展计划信息领域专家委员会委员，光电子主题专家组成员，集成光电子学国家重点联合实验室及国家光电子工艺研究中心学术委员会主任，国家自然科学基金委信息科学部咨询委员会委员，光学学科评审组组长等职。兼任中科院研究生院、厦门大学、浙江大学、东南大学、北京交通大学、北京工业大学、华侨大学、华中科技大学等教授和“中国科学院院刊”、“中国科学”、“光学学报”、“半导体学报”、“发光学报”、“自然科学进展”等编委。
　　早年从事半导体材料制备与特理测试研究工作，参预筹建我国半导体测试基地，1958年首次在国内用区熔法获得超纯性级半导体锗材料。创新发展了交变场光磁电效应和高频相移寿命测试法，建立了相移寿命理论。
　　70年代后致力于半导体光电子学研究，主持完成了多项国家重点攻关和“863”计划高科技项目，率先在国内主持研制成功GaAs基短波长与Inp基长波长半导体激光器和Si雪崩光电二极管，为开拓我国光通信事业作出了重要贡献。发现了激光器中的Q开关反常自脉动，正向负极开关效应和异质界面态的电荷存储记忆效应。基于上述研究，发展了双区共腔（CCTS）半导体光双稳态激光器，发现了光增益锁定稳频效应，提出了“相关注入压窄光脉冲”的新概念。
　　80年代中期后投身于半导体量子阱集成光电子器件研究，担任“863”专家委员会委员期间，提出“以光通信为主，光互连、光计算为辅的主题战略目标，以发展新一代光电子器件为主导的研究路线及建设一个全国性、开放性的以量子尽寸工艺为主体的光电子器件研究基地（后称为光电子工艺中心）”的建议，成为“863”计划光电子主题至今的基本框架。指导研究生在国内率先研制成功GaAs量子阱激光器和基于量子阱子可饱和吸收的自电光效应（SEED）双稳态光开关高速电光调制器等，对推动我国量子阱光电子学的发展作出了重要贡献。
　　90年代后潜心于SI基光电子学的研究，立足于国内加工，主持创新设计建立了超高真空气相沉积（UHV－CVD）生长系统，指导研究生生长了SiGe/Si量子阱、量子点材料，并首次研制成功共振腔增强型（RCE－PD）1.3um长波长窄宽带响应光电控测器，引起了国际学术界的重要反响　，先后研制成功了1.3-1.55um波颀Si基MOEMs可调谐窄宽光学滤波器和F－P腔热光效应TO型可调窄带光学滤波以及1.55um窄带响应InGaAs/SiRCE-PD探测器。
　　现正致力于Si基近可见波段高效发光器件和高速电光开关以及Si基光电子集成的开拓性研究。
　　第一作者发表于国内外杂志论文一百多篇。
　　出版有“半导体激光原理”（杜宝勋合着，中国电子学会出版，1983年）
　　“光电子器件”（国家科委光通信专业组出版，1987年）
1999年获何梁何利科技进步奖。
2001年获中国光学学会，中国电子学会，中国通信学会联合颁发“国家光通信与集成光学”杰出贡献奖。