王圩，半导体光电子学专家。1937年12月生于河北。1960年毕业于北京大学物理系。早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使我国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作作出了贡献。1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件、电吸收调制器和分布反馈激光器单片集成器件等，为我国光纤通信用半导体光电子器件的发展作出了贡献。1997年当选为中国科学院院士。