硅光技术 将快速带动光通讯产业发展

 2/15/2016，据台湾工商时报报道：相隔40Gb／100Gb规范制定6年后，2016年100Gb的交换器技术逐渐成熟，需求开始起飞，预期2016年起100Gb技术在接取埠支出金额将大幅成长。同时硅光技术可望成为从In-Rack到Across Data center不同距离连结之带宽欲达到100Gb／s的必备技术。

      我们看好台湾2016年数据中心高速交换器需求起飞的趋势，同时，我们亦看好硅光通讯模块与白牌服务器将出现畅旺的需求。根据思科最新发布的思科全球云端指数（Cisco Global Cloud Index 2013－2018）预测，整体流量年复合成长率（CAGR）涨幅为23％，流量从2013全年3.1ZB（zettabytes）成长至2018全年为8.6ZB，成长近3倍。

     为满足大量数据传输，电子讯号传输速度演进约每3年倍增，国际电机电子工程师学会（IEEE）在1998年、2002年及2010年分别制定以太网络标准规范1Gb、10Gb、40Gb／100Gb架构后（2015年10Gb交换器渗透率已达约37％），我们认为相隔40Gb／100Gb规范制定6年后，2016年100Gb的交换器技术已逐渐成熟，需求将开始起飞，同时新一代400Gb的标准规范将于2016年底发布。
      虽2015年全球市场10Gb网络接取端口技术需求仍是主流，但预期2016年起100Gb技术在接取埠支出金额将可大幅成长，IHS预估2015至2019年全球100Gb接取埠产值CAGR将达27％。

      此结果印证近期交换器ODM厂商放量时程，同时也符合脸书等因特网服务提供商近期纷纷宣布建立100Gb传输的数据中心。硅光技术可望成为100Gb／s的必备解决方案。我们认为硅光技术可望成为从In-Rack到Across Data center不同距离连结之带宽欲达到100Gb／s的必备技术。据英特尔估计，硅光技术应用于连接数据中心的潜在市场规模将由2016年不到10亿美元增至2020年超过40亿美元。假设磊晶圆占数据中心硅光应用总营收的3～5％，则InP磊芯片的潜在市场规模可望由2016年的不到2,000万美元扩张至2020年逾1亿2,000万美元。

       硅光使用晶圆级技术并透过互补金属氧化半导体（CMOS）、微机电系统（MEMS）和3D堆栈等know-how整合光学组件与硅电路，包括雷射、接收器（receiver）、导波管（waveguide）、调变器（modulator）、多任务器／解多任务器（Mux／DeMux）、集成电路和被动组件。随着数据中心转为采用高性能运算（HPC）设计，服务器与服务器之间的传输越发依赖虚拟化技术，带动传输频率大幅上升。硅光技术可使服务器的连接能不再受限并改善吞吐量，尤其在数据中心传输速率达100Gb／s时。硅光不仅会用于数据中心间的传输，另也用于In-rack。