岗位职责：
1.根据芯片设计功能和性能等技术要求，设计基于铌酸锂（LNOI）薄膜的光子集成芯片的工艺方案和目标；
2.组织工艺团队把制定的工艺方案和目标分解成各个工艺窗口和流程；
3.开展试验验证各个工艺窗口和流程，评估其成熟度，开发工艺、NPI并导入量产；
4.快速分析和定位芯片工艺的各种缺陷、故障、失效问题，并提出迭代解决方案；
5.组织完成芯片流片和测试，与设计团队一起评估是否达到设计目标，以形成成熟的PDK；

任职要求：
1.硕士/博士学位，化学、物理、半导体工艺、电子信息、材料类相关专业，研究方向和铌酸锂薄膜光子芯片相关；
2.熟悉光刻、沉积镀膜、干法刻蚀、湿法刻蚀、电镀等半导体加工工艺；
3.3年以上光子集成芯片的制成和芯片测试经验，尤其是薄膜铌酸锂光子芯片工艺开发经验；
4.工作认真细致，严谨，有责任心以及良好的团队精神。具备良好的表达能力，沟通理解和逻辑思维能力；
5.英文听说读写流利；