和魏巍博士2007年毕业于清华大学电机系，2014年毕业于剑桥大学获电力电子专业博士学位，主要研究方向为功率半导体器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、设计、制造及应用，在国际著名期刊和会议上发表多篇论文，在功率半导体器件和应用领域拥有专利二十余项。

目前，其全面负责深圳基本半导体有限公司的各项工作，带领团队勇于创新、锐意进取，整合海外创新技术与国内产业资源，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。

重大成就：

通过引进海归人才和外籍专家，基本半导体建立了国际一流的高层次创新队伍，成功入选“2017年深圳市海外高层次人才孔雀团队”。

2017年3月，基本半导体与深圳清华大学研究院共建“第三代半导体材料与器件研发中心”。

2017年11月，基本半导体参与制定第三代半导体技术路线图。

2018年3月，基本半导体和第三代半导体产业技术创新战略联盟、南方科技大学等单位发起共建“深圳第三代半导体研究院”。